[发明专利]一种半导体腔室有效
申请号: | 202011027047.9 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112159971B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 王洪彪;王勇飞;陈显望;兰云峰 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;H01L21/67 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 马骥 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请实施例提供一种半导体腔室,包括腔体,设置在所述腔体内的基座、排气组件以及多个可调件,所述排气组件环绕所述基座设置并具有环绕所述基座设置的多个排气口,多个所述可调件与多个所述排气口一一对应设置,每个所述可调件均能够通过调节与所述排气口对应的气体通道的径向面积来调节气体流量,所述腔体具有抽气口,所述排气口通过所述可调件与所述抽气口连通。本申请实施例所提供的半导体腔室能够平衡腔体内的气压分布,使得腔体内能够形成较为均匀的气流场。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的