[发明专利]沟槽刻蚀的方法有效
| 申请号： | 202011028815.2 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112164647B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 冯大贵;欧少敏;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种沟槽刻蚀的方法，涉及半导体制造领域，该方法包括在衬底上形成硬掩膜层，在硬掩膜层表面形成一层光刻胶，在光刻胶中形成沟槽开口图案，沟槽开口图案的特征尺寸小于沟槽开口的目标特征尺寸，根据沟槽开口图案进行刻蚀，硬掩膜层形成沟槽开口图案，衬底顶部形成预定深度的凹槽，增大硬掩膜层中沟槽开口图案的特征尺寸，令硬掩膜层中沟槽开口图案的特征尺寸等于目标特征尺寸，根据增大后的沟槽开口图案刻蚀衬底，在衬底中形成沟槽；解决了目前沟槽刻蚀后，沟槽侧壁的顶部容易出现侧掏现象的问题；达到了避免沟槽侧壁的顶部出现侧掏现象，优化沟槽形成工艺的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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