[发明专利]一种低温制备C轴结晶IGZO薄膜的方法在审
| 申请号： | 202011029387.5 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112126896A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 赵毅;刘畅;刘一鸣;秦后运;魏松;卢明鑫;彭翀 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温制备C轴结晶IGZO薄膜的方法，属于液晶显示技术领域。本发明提供的方法包括以下步骤：在惰性气体和反应气体组成的混合气氛下，在衬底表面同步进行磁控溅射和施加等离子体，得到C轴结晶IGZO薄膜；所述磁控溅射的靶材为铟、镓和锌的氧化物；所述衬底的温度保持在25～100℃。本发明通过等离子体辅助方式磁控溅射C轴结晶IGZO薄膜，以等离子体的能量部分代替形成结晶所需要的热量，能够实现在25～100℃的低温条件下C轴结晶IGZO的沉积，从而扩展C轴结晶IGZO薄膜在柔性显示方面的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 制备 结晶 igzo 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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