[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202011032169.7 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112687747A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 户田达也;津吹将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 邸万杰;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件具有：包含铟的氧化物半导体层；与上述氧化物半导体层相对的栅极电极；上述氧化物半导体层与上述栅极电极之间的栅极绝缘层；从上述氧化物半导体层的上方与上述氧化物半导体层接触的第一导电层；和氧化部，其在上述氧化物半导体层的上方形成于上述第一导电层的端部，为上述第一导电层的氧化物。在俯视时与上述第一导电层重叠的区域的上述氧化物半导体层中，铟也可以偏置。根据本发明，能够实现可靠性高的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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