[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011033026.8 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112366257B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;梅劲;董彬忠;吕蒙普 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。多量子阱层中阱层包括沿发光二极管外延片生长方向依次层叠的第一BInGaN子阱层、第一InGaN子阱层、InN子阱层、第二InGaN子阱层、第二BInGaN子阱层。阱层中部捕获更多的电子并，减小电子的迁移速率，载流子分布更均匀。垒层包括沿发光二极管外延片生长方向依次层叠的第一BInGaN子垒层、第一BGaN子垒层、BN子垒层、第二BGaN子垒层、第二BInGaN子垒层。垒层与阱层之间通过BInGaN材料进行良好过渡，减小阱层与垒层之间由于晶格失配而产生的缺陷，提高阱层与垒层的晶体质量并最终提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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