[发明专利]一种半导体激光器芯片失效分析方法在审
| 申请号： | 202011033121.8 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112179919A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王宝超;任占强;李喜荣;赵永超;李斌 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956;G01N23/2251;G01N23/00;G01N21/66;G01R31/28 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 郑丽红 |
| 地址： | 710077 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器芯片失效分析方法，目的是解决现有方法难以准确分析和判断半导体激光器芯片失效原因的问题。该方法包括：步骤一、物理缺陷检查；步骤二、光电性能测试；步骤三、腔面光场分布测试；步骤四、扫描电子显微镜分析；步骤五、内部分析；步骤六、焊接质量分析。本发明方法是一种逐层递进、由外及内的失效分析方法，可快速找出COS芯片失效的原因及失效的深层机理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 芯片 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
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