[发明专利]一种晶格匹配的硅基GaInNP垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 202011033152.3 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112152084A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 郑君雄;张昭宇;张保平;冉宏宇;王青 | 申请（专利权）人： | 深圳市飞研智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区龙城街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶格匹配的硅基GaInNP垂直腔面发射激光器，涉及半导体激光器的技术领域，包括Si衬底，为n型Si单晶片，在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有n型GaNP缓冲层、n型DBR结构层、GaNP/GaInNP/GaNP多量子阱有源区和p型DBR结构层，在所述Si衬底下表面制备有下电极，在所述p型DBR结构层上表面制备有上电极。本发明可基于晶硅衬底制备得到激射波长在730～950nm之间的垂直腔面发射激光器，可推进硅光子集成技术的发展，加快垂直腔面发射激光器的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶格 匹配 gainnp 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市飞研智能科技有限公司，未经深圳市飞研智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011033152.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
