[发明专利]一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法在审
| 申请号： | 202011033632.X | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112326707A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 宋世金;赵炆兼;汤惠淋;王雷;刘浩飞;马金峰 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251;G01N23/04;G01B15/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体外延薄膜及器件技术领域，公开了一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法，包括以下步骤：S1、对GaAs基晶圆沿自然解理面进行分割；S2、沿平行于GaAs基晶圆的衬底表面，并与自然解理面法线一侧呈45°方向，观察并测量解理边与GaAs基晶圆上下表面的夹角，记为θ1；S3、若θ1≠90°，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°‑θ1|；S4、若θ1＝90°，则沿平行于GaAs基晶圆衬底表面、与自然解理面法线另一测呈45°方向，观察并测量解理边与晶圆衬底上、下表面的夹角，记为θ2，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°‑θ2|。本发明能够简便、准确、直观的对GaAs基晶圆斜切角度进行表征，并适用于经外延、金属、介电薄膜沉积后的完整器件晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 基晶圆 斜切 角度 快速 表征 方法 | ||
【主权项】：
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