[发明专利]一种具有光子晶体结构的侧面入射型SOI基Si/SiGe HPT的制备方法有效
| 申请号： | 202011033951.0 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112531073B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 谢红云;刘先程;向洋;郭敏;沙印;张万荣 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0232;H01L31/11 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有光子晶体结构的侧面入射的SOI基Si/SiGe HPT的制备方法，属于半导体技术领域，制备方法包括：在SOI衬底上制备SOI基Si/SiGe HPT外延材料，制备光子晶体结构，刻蚀形成基区、集电区台面，外延钝化层，刻蚀电极接触孔，制作金属电极。相比传统Si/SiGe HPT具有以下优点：利用光子晶体的点缺陷和线缺陷特性将入射光困在器件内提高器件对光的吸收率，同时采用光从侧面入射的方式相比于垂直入射方式可以保证吸收层厚度不变的情况下增加器件对光的吸收长度，同样也提高了器件对光的吸收率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 光子 晶体结构 侧面 入射 soi si sige hpt 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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