[发明专利]大规模电子束曝光版图的高精度邻近效应快速矫正方法有效
申请号: | 202011035302.4 | 申请日: | 2020-09-27 |
公开(公告)号: | CN111965936B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 刘杰;姚文泽;刘薇;侯程阳;段辉高;陈艺勤 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 国防科技大学专利服务中心 43202 | 代理人: | 王文惠 |
地址: | 410012 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明属于电子束邻近效应剂量矫正快速计算领域,公开了一种大规模电子束曝光版图的高精度邻近效应快速矫正方法。本发明首先将需要矫正的版图形状映射在该版图矩阵中,生成电子束曝光的二维版图,然后设置迭代参数,通过快速多极子方法优化卷积过程,并计算邻近效应矫正,最后将矫正至收敛的二维剂量矩阵结果转化为可用于直接曝光的文件格式。本发明实现了大规模电子束曝光版图的高精度邻近效应快速矫正,解决了任意形状的大规模电子束曝光的邻近效应矫正计算,有着低误差率、高收敛速度率和高计算效率的特点,对矫正的计算效率和精度极大提升,具有高计算精度、高计算效率等特点。 | ||
搜索关键词: | 大规模 电子束 曝光 版图 高精度 邻近 效应 快速 矫正 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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