[发明专利]电容器、其制作方法及电子设备在审
申请号: | 202011036209.5 | 申请日: | 2020-09-27 |
公开(公告)号: | CN114284268A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 田范焕;梁时元;贺晓彬;李亭亭;刘金彪 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 刘广达 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供一种电容器、其制作方法及一种电子设备。本公开的电容器包括:所述电容器为圆台型,包括上电极、介电层、下电极、衬底,其中,下电极的远离衬底一侧的临界尺寸小于靠近所述衬底一侧的临界尺寸。所述方法包括:在衬底上制备圆台型氧化物层,所述圆台型氧化物层的顶部直径大于底部直径;在所述圆台型氧化物层的上表面、侧面及衬底上沉积形成第一氮化钛层,并通过回刻去除所述圆台型氧化物层上表面的第一氮化钛层;去除所述圆台型氧化物层,并在所述第一氮化钛层上沉积形成ZAZ介电膜;在ZAZ介电膜上沉积第二氮化钛层。本公开与现有技术相比的优点在于:(1)能够稳定的确保电容的底部临界尺寸。(2)稳定的管理电阻值和电容值。(3)电容的泄漏电流较小,改善了电容器的刷新特性。 | ||
搜索关键词: | 电容器 制作方法 电子设备 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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