[发明专利]堆叠纳米线环栅器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011036930.4 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112151386B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 周娜;李俊杰;高建峰;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种堆叠纳米线环栅器件及其制作方法，其制作方法包括如下步骤：在衬底上依次交替生长牺牲层和沟道层，形成堆叠结构；制作假栅和第一侧墙层；在堆叠结构上形成内凹形貌；淀积第二侧墙层，并形成内侧墙；在第二侧墙层上淀积填充层，平坦化至使第二侧墙层裸露；刻蚀第二侧墙层的顶部和侧壁，剩余内侧墙以及被填充层覆盖的第二侧墙层的底部；去除填充层和第二侧墙层的底部；在衬底上分别外延生长源区和漏区；去除假栅和第一侧墙层；去除牺牲层，形成纳米线沟道；形成环绕纳米线沟道的高K金属栅；填充绝缘层，制作接触孔和引线，完成制备。本发明的制作方法实现第二侧墙层侧壁刻蚀完全且内侧墙保持完好，最终得到堆叠纳米线环栅器件。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 纳米 线环栅 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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