[发明专利]光通信半导体激光器及其含铝量子阱有源层对接生长方法在审
| 申请号： | 202011037195.9 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112217097A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈志标 | 申请（专利权）人： | 武汉云岭光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 代婵 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光通信半导体激光器及其含铝量子阱有源层对接生长方法，该方法包括如下步骤：在衬底上生长无铝无源波导层完成第一次外延；将一次外延片上预设的第一含铝量子阱有源层区域的无铝无源波导层去除，进行第二次外延，生长第一含铝量子阱有源层；继续将二次外延片上预设的第二含铝量子阱有源层区域的无铝无源波导层去除，进行第三次外延，生长第二含铝量子阱有源层，其中，第一含铝量子阱有源层与第二含铝量子阱有源层之间间隔有无铝无源波导层。本发明外延生长含铝量子阱有源层都是在无铝的无铝无源波导层上进行，避免了含铝材料的氧化问题，提高了对接耦合生长质量。同时有源层采用高性能的含铝材料，可提高元器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光通信 半导体激光器 及其 量子 有源 对接 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉云岭光电有限公司，未经武汉云岭光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011037195.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
