[发明专利]泄漏测量系统、半导体制造系统和泄漏测量方法在审
| 申请号： | 202011038083.5 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112629769A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 国武悠太 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G01M3/24 | 分类号： | G01M3/24;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够更简易地测量半导体制造装置的泄漏的泄漏测量系统、半导体制造系统和泄漏测量方法。本发明的一个方式的泄漏测量系统是测量半导体制造装置的泄漏的泄漏测量系统，其包括：与上述半导体制造装置接触或连接的振动传感器；基于上述振动传感器检测的振动数据来生成振动波形图像的图像生成部；和基于上述图像生成部生成的上述振动波形图像对上述半导体制造装置的泄漏进行分析的分析部。 | ||
| 搜索关键词： | 泄漏 测量 系统 半导体 制造 测量方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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