[发明专利]一种无掩模原位横向外延α相氧化镓薄膜的方法

摘要

本发明提出一种无掩模原位横向外延α相氧化镓薄膜的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上外延一层氧化镓缓冲层；(2)在极短的时间内，在氧化镓缓冲层上生长一层氧化铟量子点，即可得到图形化的氧化镓外延衬底；(3)在图形化的氧化镓外延衬底上继续外延α相氧化镓薄膜，直至氧化铟量子点的上部被氧化镓铺满。本发明采用横向外延技术，使氧化铟量子点的上部被氧化镓铺满，使窗口区的位错在横向生长区被截断而消失，部分位错向横向生长区弯曲90°而不能达到薄膜表面从而使得位错大大减少，这种原位的无掩模的横向外延技术极大优化了传统横向外延的工艺步骤，减少刻蚀损伤。