[发明专利]一种石墨烯OLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011038781.5 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112133840A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 陈李胜;胡云峰;陈卉;水玲玲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广东中亿律师事务所 44277 | 代理人： | 杜海江 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种石墨烯OLED器件及其制备方法，该OLED器件的结构从下至上包括：玻璃基底、ITO阳极、PEDOT:PSS薄膜层、氧化石墨烯薄膜层、空穴传输层NPB、电子传输层Alq3、电子注入层LiF和Al阴极，本发明采用了叠层结构实现低电流密度下的高亮度，避免漏电流和电场击穿，同时设置了PEDOT:PSS薄膜层、氧化石墨烯薄膜层对ITO阳极进行修饰，氧化石墨烯可以提高导电率，弥补PEDOT:PSS导电率较低的问题，降低方阻，进而提高OLED器件性能，另外设置了电子注入层LiF和Al阴极形成双层阴极结构，大大提升电子的注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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