[发明专利]一种磷化物修饰的硅基光电阴极材料及其制备方法有效
申请号: | 202011038868.2 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112126945B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 高濂;李峰;张鹏;刘静 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C25B11/054 | 分类号: | C25B11/054;C25B11/059;C25B11/087;C25B1/55;C25B1/04 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明公开一种高活性、高稳定的磷化物修饰的硅基光电阴极材料,涉及光电催化技术领域,包括光吸收基底,具有电子传输的保护层,电催化层和粘接层。其中,光吸收基底为p型硅,保护层为致密结构的无定形TiO |
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搜索关键词: | 一种 磷化 修饰 光电 阴极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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