[发明专利]一种复合纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管有效
| 申请号： | 202011039039.6 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN114276551B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;H10K50/15;H10K85/10;H10K85/60;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 徐凯凯;吴志益 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管，其中，所述复合纳米材料包括金属化合物纳米颗粒以及通过化学键与所述金属化合物纳米颗粒结合的苯胺‑吡啶聚合物，所述苯胺‑吡啶聚合物的化学结构式为#imgabs0#本发明通过将金属化合物与苯胺‑吡啶聚合物结合在一起形成复合纳米材料可作为电子传输层或空穴传输层，由于苯胺‑吡啶聚合物的带隙较小，使得复合纳米材料的电子或空穴更加容易由价带被激发到导带，使得载流子浓度增高，有利于电子或空穴的传输，并且苯胺‑吡啶聚合物的修饰可使得金属化合物的表面缺陷减少，抑制了金属化合物表面缺陷对载流子的俘获，从而提高其的电子或空穴的传输性能，进而提高了QLED发光效率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 纳米 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
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