[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011039277.7 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112582362A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吉野英生 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L23/532;H01L23/62;H01L23/64;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于洁;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：MOSFET，其设于基板上的第1面，具有在上部形成有合金膜(4a)、(5a)的第1电极部；电阻元件，其设于比第1面高的位置的第2面，具有在上部形成有合金膜(6c)和覆盖一部分合金膜(6c)的氮化硅膜的第2电极部；BPSG膜，其设于MOSFET和电阻元件上；第1接触孔，其按照贯穿第1电极部上的BPSG膜并到达合金膜(4a)、(5a)的方式形成；第2接触孔，其按照贯穿第2电极部上的BPSG膜和氮化硅膜并到达合金膜(6c)的方式形成；以及金属布线，其埋入于第1接触孔和第2接触孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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