[发明专利]一种用于悬臂梁型SOI-MEMS器件的选择性电化学刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011039741.2 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112265955A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 郝秀春;李继丰 | 申请（专利权）人： | 江苏昊微纳科技服务有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 | 代理人： | 姜佩娟 |
| 地址： | 212000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种用于悬臂梁型SOI‑MEMS器件的选择性电化学刻蚀方法，是四电极电化学刻蚀方法在MEMS器件加工上的新应用，可以解决悬臂梁的释放和使用中出现的粘附问题。对悬臂梁型SOI‑MEMS器件进行释放后，采用选择性电化学刻蚀的方法对衬底层进行了刻蚀，而器件层不粗糙化处理，腐蚀埋藏氧化层的方法能增加电化学腐蚀处理层的粗糙度；电化学腐蚀后，释放HF蒸气的开关衬底层，开关的活动部分与基板的分离长度和间隙增大；随着粗糙度和间隙的增大，导致开关粘附的压力也大大增加。选择性电化学腐蚀可有效防止悬臂梁式开关或其他SOI‑MEMS器件的制造和使用中的粘附问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 悬臂梁 soi mems 器件 选择性 电化学 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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