[发明专利]高压静电保护结构

摘要

本发明公开了一种高压静电保护结构，所述结构位于一埋层之上；在剖面上，所述高压静电保护为左右对称结构，包括位于中心区域的第一导电类型的高压阱一以及位于高压阱一两侧的具有第二导电类型的高压阱二、高压阱三；在所述高压阱一中，其中心区域具有第二导电类型的重掺杂区一，重掺杂区一的两侧对称依次排布第一场氧、第一导电类型的重掺杂区二以及第二场氧；在所述高压阱二中，具有LDMOS器件的源区以及重掺杂区三，所述的源区与重掺杂区三之间间隔有第三场氧。本发明在原漏区所在的高压阱区中增加数量及扩散半径可调的多边形或圆形注入区，以灵活地控制寄生SCR结构的电流分配，达到调整电流流出的路径的比例，提高器件抗静电能力。