[发明专利]使用SiC基材料作为衬底的碳纳米管晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202011040000.6 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112259608B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 杨扬;李忠辉;霍帅;张东国;孔月婵;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 陆烨 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了使用SiC基材料作为衬底的碳纳米管晶体管及其制备方法，该方法为:1)衬底上设置碳纳米管；2)在碳纳米管上划分出源，漏极区域，并在源，漏极区域制备金属电极；3)在沟道区域上划分出栅极区域，去掉除多余的碳纳米管；4)在沟道区域上制备栅介质；5)在栅介质上制备栅金属，从而完成晶体管的制备。本发明通过使用SiC材料衬底提升散热性能，降低由于温度上升引起的声子散射，有效减少了载流子迁移率降低，提升器件性能，提高器件工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 sic 基材 作为 衬底 纳米 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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