[发明专利]一种适用于太赫兹单片集成的全镂空空气桥二极管在审
| 申请号： | 202011040428.0 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112086505A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张勇;吴成凯;张博;徐跃杭 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于太赫兹单片集成的全镂空空气桥二极管，其包括单片衬底和平面肖特基二极管，平面肖特基二极管包括阳极台面、阴极台面和阳极桥指，其中阳极台面和阴极台面通过阳极桥指连接，在单片衬底上设置有衬底镂空结构，衬底镂空结构位于阳极桥指下方，其应用于太赫兹单片集成领域，针对目前的二极管存在的Pad之间寄生电容较大的问题，本发明在传统平面肖特基二极管的基础上镂空空气桥下的衬底材料，可以进一步减小二极管的寄生电容，从而提升二极管的高频性能；与传统的单片二极管集成工艺兼容，可以有效的提升二极管的工作频率和带宽，在毫米波及太赫兹频段单片集成二极管电路的设计中具有很好的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 赫兹 单片 集成 镂空 空气 二极管 | ||
【主权项】：
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