[发明专利]一种IGBT功率半导体测试设备在审
| 申请号： | 202011041963.8 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112285516A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 郭斌;闫晗;赵静;彭云良;王彦明;刘俊丽;方辉煌;陈涛 | 申请（专利权）人： | 杭州沃镭智能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江干区杭州经*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IGBT功率半导体测试设备，涉及一种IGBT功率半导体测试技术。它解决了现有技术中测试设备的主回路会带来不必要的杂散电感的问题。本IGBT功率半导体测试设备，包括IGBT双脉冲测试电路，所述IGBT双脉冲测试电路具有多级测试电感负载，IGBT双脉冲测试电路的高压电容为母排电容组，所述母排电容组由低感值储能电容器通过叠层母排并联而成，所述叠层母排电容组具有对称的电容器连接口；每个低感值储能电容器并联高频吸收电容，用以吸收测试过程中产生的电压尖峰。本发明实现对IGBT等功率半导体模组的动态工作特性及损耗的测试，减小回路中杂散电感对测试结果的影响，提高整体的测试精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 功率 半导体 测试 设备 | ||
【主权项】：
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