[发明专利]一种LED外延结构及生长方法有效
| 申请号： | 202011042155.3 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151647B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王杰;冯磊;徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/26;H01L33/00;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;周晓艳 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延结构，包括衬底以及依次层叠设置在衬底上的第一半导体层、超晶格层、发光层及第二半导体层；超晶格层包括至少一个超晶格单体，超晶格单体为依次层叠设置的SiInN层和SiInGaN层或者是依次层叠设置的AlInGaN层、SiInN层和SiInGaN层；应用本发明的技术方案，效果是：通过设置超晶格层能有效释放第一半导体层的应力，同时提高电子和空穴的复合效率；本发明还公开了一种LED外延生长方法，包括依次在衬底上生长第一半导体层、超晶格层、发光层和第二半导体层；超晶格层包括至少一个超晶格单体，超晶格单体能限制从第一半导体内注入的电子，同时能够让电子在LED传送通道上分散开来，便于向发光层提供源源不断的电子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
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