[发明专利]化学机械抛光方法和装置有效
| 申请号： | 202011042568.1 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112338640B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 沙酉鹤;谢越 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02;H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械抛光方法和装置。所述方法包括提供待抛光的半导体晶圆；对所述半导体晶圆执行化学机械抛光工艺，其中，在所述化学机械抛光工艺中所述半导体晶圆位于第一平面；对所述半导体晶圆执行悬空处理步骤，其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆位于高于所述第一平面的第二平面并且所述半导体晶圆表面下方悬空，以及其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆旋转。根据本发明，将半导体晶圆上升到一定高度远离抛光垫进行悬空处理步骤，使半导体晶圆旋转，半导体晶圆表面的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物，脱离半导体晶圆表面，从而避免了晶圆表面粘附的抛光液颗粒和抛光副产物影响后续处理步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 装置 | ||
【主权项】：
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