[发明专利]一种中波红外透明电磁屏蔽薄膜及制备方法有效

专利信息
申请号: 202011045082.3 申请日: 2020-09-29
公开(公告)号: CN112410734B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 刘华松;尚鹏;刘丹丹;庄克文;邢宇哲 申请(专利权)人: 天津津航技术物理研究所
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30;C23C14/18;C23C14/02;C23C14/58;H05K9/00
代理公司: 天津市鼎拓知识产权代理有限公司 12233 代理人: 刘雪娜
地址: 300000 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供了一种中波红外透明电磁屏蔽薄膜及制备方法,用以解决现有的P型红外透明半导体薄膜导电性较差、载流子浓度较低以及中波红外透过率低的问题。所述电磁屏蔽薄膜制备方法,通过基底清洗、薄膜沉积和对沉积薄膜后的基底进行退火处理,制备出结构为(x1Ge/x2In)n/x3Ge,其中x1=10nm~1000nm;x2=0.1nm~50nm;x3=10nm~1000nm;n=1~10的中波红外透明电磁屏蔽薄膜。本发明实现膜层结构的一次性、批量制备,提升了生产效率,降低了生产成本;所述中波红外透明导电薄膜结构简单、屏蔽性能强、中波红外透过率高,且与平面或曲面窗口头罩具有较好的兼容,在保证红外窗口较高红外透射性能的同时,实现对入射电磁波的强屏蔽效果。
搜索关键词: 一种 中波 红外 透明 电磁 屏蔽 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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