[发明专利]霍山石斛培养基及其制备方法在审
| 申请号： | 202011050227.9 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112262733A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 汪玉娟;戴军;徐重磊;常子恩;吴蒙娜;张帅;赵宇;朱珊珊;朱荣荣 | 申请（专利权）人： | 皖西学院 |
| 主分类号： | A01G24/22 | 分类号： | A01G24/22;A01G24/30;A01G24/10;A01G31/00 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 王营超 |
| 地址： | 237012 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了霍山石斛培养基及其制备方法，包含如下重量份计的原料：香蕉1‑5份、土豆1‑5份、生长素0.1‑0.5份、路易斯酸1‑3份、MS培养基质5‑15份；其制备的方法步骤入下：S1：向霍山石斛培养基制备装置中加入MS培养基所需原料和水，加热搅拌至原料完全溶解；S2：向S1的混合液中加入香蕉和土豆，并混合均匀；S3：向S2的混合液中加入生长素和路易斯酸并混合均匀；S4：混合后溶液经滤网过滤后进入霍山石斛培养基制备装置中的暂存腔，并通过进料管对溶液进行定容，最后经分配组件添加至容器中即得霍山石斛培养基。本发明提高了霍山石斛的生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 霍山 石斛 培养基 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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