[发明专利]高密度集成有源电容在审
| 申请号： | 202011050434.4 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112164750A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 许曙明;吴健 | 申请（专利权）人： | 吴健 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31314 | 代理人： | 蔡沅 |
| 地址： | 200052 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高密度集成有源电容，属于电子技术领域。该高密度集成有源电容的沟槽两侧设置有覆盖耗尽区的源区，为沟槽电容负极板提供反型层载流子，为形成于沟槽与耗尽区之间的沟槽电容以及耗尽区与P型衬底之间的耗尽电容分别提供电极引出，改变内部电容的连接方式，将串联电容转变成并联电容，从而使得本发明的有效电容比现有技术中不具备源区的电容大得多，大幅提高了电容密度，适用于各种集成电路，且本发明的高密度集成有源电容可采用标准制程，生产制造方便，成本相对低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 集成 有源 电容 | ||
【主权项】：
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