[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202011050878.8 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112635456A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 柳志秀;俞炫圭;林承万 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其包括：第一有源图案和第二有源图案，其在基板上在第一方向上延伸；第一栅电极和第二栅电极，其在第二方向上延伸以与第一有源图案和第二有源图案相交；第一源极/漏极接触，其在第二方向上延伸并分别连接到第一有源图案的第一源极/漏极区域和第二有源图案的第二源极/漏极区域；第一源极/漏极通路，其连接到第一源极/漏极接触；第一单元分隔膜，其在第二方向上延伸并与第一有源图案和第二有源图案交叉，在第一源极/漏极接触和第二栅电极之间；第一栅极通路，其连接到第二栅电极并与第一源极/漏极通路一起沿着第一方向排列；以及第一连接配线，其在第一方向上延伸并且连接第一源极/漏极通路和第一栅极通路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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