[发明专利]一种半导体器件制备方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 202011050946.0 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112185890B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 郑存闵;庄连碟;李岭;陈云;林吕勇;蔡东益;黄靖杰;郭明峰 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8239;H01L23/528;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制备方法以及半导体器件，通过在衬底上形成导电堆叠层，在第一温度下沉积覆盖导电堆叠层的第一绝缘介质层，先图形化衬底外围电路区的第一绝缘介质层和导电堆叠层，以形成栅极结构，并对第一绝缘介质层、导电堆叠层、栅极结构和衬底进行热处理；再以大于第一温度的第二温度沉积第二绝缘介质层，第二绝缘介质层至少覆盖位于单元阵列区的第一绝缘介质层，对单元阵列区的第一绝缘介质层和第二绝缘介质层图形化，以图形化后的第一绝缘介质层和第二绝缘介质层作为掩模，刻蚀导电堆叠层，以在单元阵列区形成位线结构。该方法有利于形成垂直轮廓的位线结构提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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