[发明专利]硅晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 202011051284.9 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112195515B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 欧子杨;白枭龙;尚伟泽;金浩 | 申请（专利权）人： | 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/04;C30B15/04;C30B28/06;C30B28/10 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种硅晶体的制备方法，包括：提供硅溶液，硅溶液中掺杂有第一掺杂离子以及第二掺杂离子，第一掺杂离子为N型掺杂离子或者P型掺杂离子中的一者，第二掺杂离子为N型掺杂离子或者P型掺杂离子中的另一者，且第一掺杂离子在硅溶液中的分凝系数大于第二掺杂离子在硅溶液中的分凝系数；对硅溶液进行凝固处理，以凝固部分硅溶液形成具有第一掺杂离子的第一类型硅晶体区，在形成第一类型硅晶体区之后，凝固剩余硅溶液形成具有第二掺杂离子的第二类型硅晶体区。本发明实施例有利于提高硅晶体的成品产出率，降低硅晶体的制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司，未经晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011051284.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
