[发明专利]快速恢复二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011051596.X | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114335192A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 郝瑞红;曹群 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329;H01L29/45;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种快速恢复二极管及其制造方法，其中，快速恢复二极管包括层叠设置的第一金属电极层、第一导电类型阴极层、第一导电类型外延层、第二导电类型阳极层及第二金属电极层，所述第二导电类型阳极层朝向第二金属电极层的一侧，至少部分区域形成有第一导电类型反型区，第一导电类型反型区形成有第二导电类型反型区，第一导电类型反型区的深度大于第二导电类型反型区的深度，第二导电类型反型区与第二金属电极层欧姆接触。该方案，由于第二导电类型反型区与第二金属电极层欧姆接触，保证了该快速恢复二极管的正面欧姆接触性能，从而在不增加正向压降VF的情况下，降低阳极的注入效率，减少关断时间，提高了产品工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 恢复 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪半导体股份有限公司，未经比亚迪半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011051596.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发射功率控制方法及装置
- 下一篇：一种半导体结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
