[发明专利]一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法有效
| 申请号： | 202011052794.8 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112242459B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 张骏;岳金顺;梁仁瓅 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 易贤卫 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法，该方法步骤包括：在蓝宝石衬底上外延生长AlN膜层；在所述AlN膜层上外延生长第一AlGaN薄膜层；在所述第一AlGaN薄膜层上采用氢气腐蚀出位错坑；在所述位错坑表面原位沉积SiN位错湮灭层；在所述SiN位错湮灭层上外延生长第二AlGaN薄膜层。本发明通过在第一AlGaN薄膜层上先腐蚀出位错坑再进行SiN原位填补的方式，一方面能够使第二AlGaN薄膜层及后续膜层在生长过程中便同步进行了图形化处理，避免了将外延片取出进行复杂的刻蚀工艺，以及取出刻蚀时引入杂质的问题；另一方面，由于SiN位错湮灭层是同位错坑相对应的岛状分布结构，这种结构更利于第二AlGaN薄膜层的生长愈合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 原位 sin 湮灭 algan 薄膜 及其 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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