[发明专利]一种脉冲掺杂电子阻挡层的深紫外LED及其制备方法有效
| 申请号： | 202011052832.X | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112242463B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 张骏;岳金顺;梁仁瓅 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 易贤卫 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种脉冲掺杂电子阻挡层的深紫外LED及其制备方法，所述脉冲掺杂电子阻挡层的深紫外LED由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、脉冲掺杂电子阻挡层、p型AlGaN注入层和p型GaN接触层；所述脉冲掺杂电子阻挡层为各反应源以时间上分离的方式分别通入后生长得到，每次通入一种反应源，所述反应源包括Al源、Ga源、Mg源及氨气。本发明通过采用脉冲式沉积方式来生长脉冲掺杂电子阻挡层，增强了表面效应，显著提高了Mg掺入到AlGaN中的掺杂浓度，从而使其空穴浓度显著提高，进而提高了器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 脉冲 掺杂 电子 阻挡 深紫 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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