[发明专利]掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法有效
| 申请号： | 202011052877.7 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112160020B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 肖贵云;白枭龙;尚伟泽 | 申请（专利权）人： | 晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 肖丽 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法，涉及半导体材料制备技术领域。该掺杂剂加料器，用于掺杂半导体材料的制备，所述掺杂剂加料器为密封式结构，所述密封式结构的内部具有容纳空间，所述容纳空间用于盛装掺杂剂；其中，所述掺杂剂加料器的材质包括含硅材料，在制备所述掺杂半导体材料的过程中，所述掺杂剂加料器以及内部的掺杂剂在热场加热下适于形成熔体，用以制备所述掺杂半导体材料。本申请能够精确的控制掺杂剂的掺杂量，提供足够均匀的电阻率分布，提高生产效率，结构简单，操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 料器 半导体材料 制备 系统 方法 | ||
【主权项】：
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