[发明专利]一种基于半导体二维电子气进行弱磁场空间成像的方法在审
| 申请号： | 202011054273.6 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112186101A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 赵建华;王海龙;魏其其 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14;H01L43/06;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于半导体二维电子气进行弱磁场空间成像的方法，包括：S1，分子束外延生长二维电子气半导体异质结；S2，微纳加工二维电子气半导体异质结，得到特征尺寸在10nm～1mm范围内的分立霍尔器件；S3，集成分立霍尔器件，得到线阵或面阵弱磁探测器，实现对弱磁场的空间成像。本发明利用半导体二维电子气室温高载流子迁移率的特点，通过霍尔效应的原理进行高精度弱磁探测与成像，可用于心磁图和脑磁图等人体弱磁探测及成像，具有便携式、低成本、高空间和时间分辨率等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体 二维 电子 进行 磁场 空间 成像 方法 | ||
【主权项】：
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