[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011054814.5 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112018187B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;房子荃 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件及其制造方法，涉及半导体制造领域。该LDMOS器件包括衬底、衬底内的第一类深阱、第一类阱区、第二类阱区；第一类阱区位于第一类深阱和第二类阱区之间；第一类深阱的一端设置有第一类重掺杂区；衬底表面设置有栅极结构，第一类阱区位于栅极结构的下方，栅极结构与第一类深阱内的第一类重掺杂区通过场氧分隔，栅极结构的一端延伸至第一深阱上方的场氧表面；栅极结构的另一端位于第二类阱区的上方；第二类阱区内设置有第一类重掺杂区和第二类重掺杂区；解决了现有的中高压LDMOS器件的IDVD曲线出现准饱和现象的问题；达到了提升中高压LDMOS器件性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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