[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011054990.9 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112103189A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 于涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件的制备方法包括：在半导体衬底中形成第一导电类型的第一阱区；在所述第一阱区中形成第二导电类型的第一阈值电压调整区；在所述第一阱区中形成第二导电类型的第二阱区，所述第一阈值电压调整区位于所述第二阱区上；在所述第一阱区和所述第二阱区中形成第一导电类型的第二阈值电压调整区，所述第二阈值电压调整区与所述第一阈值电压调整区部分重叠；以及，在所述第二阈值电压调整区上形成栅极结构。由于，所述第二阈值电压调整区与所述第一阱区的导电类型相同，因此，可以通过所述第二阈值调整电压调整所述第一阱区的电压，并可以进一步的使半导体器件获得较大负值的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
