[发明专利]一种用于IC铜制程CMP后的清洗液及其制备方法在审
| 申请号： | 202011055102.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112143574A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 宋伟红;蔡庆东 | 申请（专利权）人： | 常州时创新材料有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/72 | 分类号： | C11D1/72;C11D3/37;C11D3/36;C11D3/30;C11D3/43;C11D3/20;C11D3/60;C11D11/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 苏州曼博专利代理事务所(普通合伙) 32436 | 代理人： | 宋俊华 |
| 地址： | 213300 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于IC铜制程CMP后的清洗液，通过如下方法制备：将表面活性剂、润湿剂、有机膦螯合剂、有机胺螯合剂、季铵碱、有机溶剂加入水中，搅拌均匀形成透明溶液，再加入消泡剂并搅拌均匀，再用pH调节剂调整溶液的pH值。本发明的清洗液可用于集成电路铜互连工艺，本发明清洗液是由一种或多种有机胺和多种络合剂组成的水基体系，适用于半导体铜制程的CMP后清洗，本发明清洗液能有效去除晶圆表面的颗粒以及有机残留物，保证CMP后的良品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 ic 铜制 cmp 清洗 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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