[发明专利]基于忆阻器阵列实现二值形态学操作的方法及电子装置在审
| 申请号： | 202011055269.1 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112150343A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 吴华强;周颖;耿一文;张清天;高滨;唐建石;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G06T1/20 | 分类号： | G06T1/20;G06T1/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于忆阻器阵列实现二值形态学操作的方法及电子装置。该基于忆阻器阵列实现二值形态学操作方法包括：获取待处理图像以及用于二值形态学操作的结构元；将待处理图像中的每个像素点的值映射至忆阻器阵列对应的忆阻器单元；使用结构元依次遍历待处理图像中选择的至少部分像素点，且在遍历待处理图像的过程中，对于每个被选择像素点，将每个被选择像素点与结构元中的阵列原点对齐，结构元在待处理图像中限定窗口区域，将结构元以及窗口区域通过忆阻器阵列进行乘和处理，根据乘和处理的计算结果以及二值形态学操作的类型得到对应的二值形态学结果。该方法利用忆阻器阵列的存算一体优势，高效、快速的实现图像形态学操作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 忆阻器 阵列 实现 形态学 操作 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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