[发明专利]一种高In组分台面型InGaAs焦平面探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高In组分台面型InGaAs焦平面探测器及其制备方法，其包括一探测器主体层、钝化膜层和欧姆接触层；探测器主体层由下往上依次包括InP衬底、InP缓冲层、n型InyAl1‑yAs缓冲层、n型InxGa1‑xAs吸收层、p型InxAl1‑xAs耗尽层和p型InxGa1‑xAs接触层；探测器主体层表面覆盖有钝化膜层；p型InxGa1‑xAs接触层分为像元区和像元分隔区，像元分隔区的深度等于p型InxGa1‑xAs接触层的厚度；p型InxAl1‑xAs耗尽层的厚度为20‑70nm；0.53≤x＜1；0.52≤y≤x。本发明的探测器结构，可以大幅降低焦平面探测器的总体暗电流。