[发明专利]电镀铜填充工艺方法在审
| 申请号： | 202011056561.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112201617A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰;陈建勋;蔡旻錞 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电镀铜填充工艺方法，包括：步骤一、形成开口；步骤二、形成铜籽晶层，在开口顶角处形成铜籽晶层的悬垂物；步骤三、进行退火回流处理，使悬垂物减少或消失；步骤四、在形成铜籽晶层到下一步的电镀铜工艺之间的等待时间内铜籽晶层的表面会被氧化形成氧化铜；步骤五、在进行电镀铜工艺之前增加一步还原工艺，之后再进行电镀铜工艺将铜层填充到开口中。本发明通过增加退火回流处理工艺能使开口的顶角处的铜籽晶层形成的悬垂物减少或消失，通过在电镀铜工艺之前增加还原工艺，能消除在电镀铜工艺时在铜籽晶层表面具有氧化铜并使开口的内侧表面各位置的铜籽晶层的厚度得到保持，最后能降低电镀铜填充工艺的难度，增加电镀铜填充能力。 | ||
| 搜索关键词： | 镀铜 填充 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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