[发明专利]全包围栅极鳍式场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011056656.7 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112201692A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全包围栅极鳍式场效应晶体管，包括：鳍体，在鳍体上形成有源区、漏区和多个全包围沟道结构；源漏区之间具有鳍体被去除后形成的第一凹槽；全包围沟道结构形成于第一凹槽中，各全包围沟道结构之间具有间隔区域，纵向方向上全包围沟道结构和各所述间隔区域交替排列；各全包围沟道结构由第一种材料外延层组成，间隔区域由对第二种材料外延层进行自对准刻蚀后形成；自对准刻蚀前，具有不同的刻蚀速率的第一和第二种材料外延层纵向交替排列于第一凹槽中，栅极结构将各全包围沟道结构的表面全覆盖。本发明还公开了一种全包围栅极鳍式场效应晶体管的制造方法。本发明能在鳍体上形成多个全包围沟道结构，从而能提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 包围 栅极 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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