[发明专利]屏蔽栅沟槽型器件的工艺方法有效
| 申请号： | 202011056835.0 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112133627B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李秀然;刘宇;薛华瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型器件的工艺方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一沟槽；在第一沟槽内依次形成第一氧化层和第二氧化层，并得到第二沟槽，其中：第一氧化层的致密度大于第二氧化层的致密度；在第二沟槽内形成屏蔽栅；在屏蔽栅上形成第三氧化层，其中：第三氧化层的致密度大于第二氧化层的致密度；部分刻蚀第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层使得所述第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层的厚度均降低，剩余的第二氧化层和第三氧化层的表面形貌与屏蔽栅的表面形貌相同，以使得剩余的第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层形成的组合的厚度较为均匀，进而改善控制栅和屏蔽栅之间的漏电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
