[发明专利]用于对3-D IC晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的覆盖ALD膜在审
申请号: | 202011057147.6 | 申请日: | 2015-02-28 |
公开(公告)号: | CN112635563A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 雷扎·阿哈瓦尼;萨曼莎·坦;巴德里·N·瓦拉达拉简;阿德里安·拉瓦伊;阿南德·班尔及;钱俊;尚卡尔·斯娃米纳森 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/22 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了用于对3‑D IC晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的覆盖ALD膜,具体涉及一种对在半导体衬底上的部分制成的3‑D晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的方法。该方法可包括在衬底上形成多层的含掺杂剂膜;形成覆盖膜,该覆盖膜包括硅碳化物材料、硅氮化物材料、硅碳氮化物材料、或它们的组合,定位该覆盖膜使得含掺杂剂膜位于衬底和覆盖膜之间;以及将掺杂剂从含掺杂剂膜驱动到鳍形沟道区内。所述膜的多个含掺杂剂层通过原子层沉积工艺形成,所述原子层沉积工艺包括:吸附含掺杂剂膜前体,使得所述前体在衬底上形成吸附受限层;以及使所吸附的含掺杂剂膜前体反应。还公开了一种用于对部分制成的3‑D晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的多站式衬底处理装置。 | ||
搜索关键词: | 用于 ic 晶体管 沟道 进行 掺杂 覆盖 ald | ||
【主权项】:
暂无信息
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