[发明专利]硅基半导体激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 202011057235.6 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114336270A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张耀辉;马四光;刘伟 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/026;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅基半导体激光器及其制作方法。所述激光器包括第一二极管结构、发光有源区和第二二极管结构，发光有源区设置于第一二极管结构和第二二极管结构之间，当在所述第一二极管结构和/或第二二极管结构上施加预设的反向偏置电压时，所述第一二极管结构和/或第二二极管结构能够向所述发光有源区注入电子，并对所述发光有源区中的电子产生“电场阱”，从而将电子限制在发光有源区。本发明提供的硅基半导体激光器采用反向注入实现了电子‑空穴对在发光介质中电子载流子的有效收集，同时能有效实现能够发光的导带能谷电子和价带带顶空穴的粒子数反转，从而实现了硅基激光器的电注入激射。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州华太电子技术有限公司，未经苏州华太电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011057235.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
