[发明专利]一种具有原位V型纳米孔结构的深紫外LED及其制备方法有效
| 申请号： | 202011057376.8 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112242466B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 张骏;岳金顺;梁仁瓅 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 易贤卫 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有原位V型纳米孔结构的深紫外LED及其制备方法，该具有原位V型纳米孔结构的深紫外LED由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、V型纳米孔层、量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN注入层和p型GaN接触层；所述V型纳米孔层为具有若干V型纳米孔的AlGaN膜层，所述V型纳米孔为锥状结构，并设置于所述V型纳米孔层靠近所述量子阱有源层一侧，所述V型纳米孔的孔径为5～200nm。本发明通过在量子阱有源区生长前，通过降低生长温度的方式引入原位v型纳米孔，使空穴更加容易进入量子阱有源层的前几个阱之中，从而提高载流子注入效率，最终提高深紫外LED器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 原位 纳米 结构 深紫 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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