[发明专利]包括磁隧道结的磁存储器件在审
申请号: | 202011058111.X | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112599661A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 李成喆;金洸奭;李将银;皮雄焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种磁存储器件可以包括垂直磁性结构、面内磁性结构、在垂直磁性结构与面内磁性结构之间的自由磁性图案以及在垂直磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒图案。垂直磁性结构可以包括具有被钉扎到特定方向的垂直磁化方向的至少一个被钉扎图案,并且自由磁性图案可以具有可切换的垂直磁化方向。面内磁性结构可以包括第一磁性图案和第二磁性图案,并且第一磁性图案和第二磁性图案中的每个可以具有不同的各自的面内磁化方向。 | ||
搜索关键词: | 包括 隧道 磁存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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