[发明专利]一种具有低滞后大电致应变的铌镁酸铅基三元压电陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202011058341.6 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112194487A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李国荣;夏翔;曾江涛;郑嘹赢;阮学政;满振勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/499 | 分类号： | C04B35/499;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/638;C04B35/64;H01L41/187 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种具有低滞后大电致应变的铌镁酸铅基三元压电陶瓷材料及其制备方法，所述铌镁酸铅基三元压电陶瓷材料的化学通式为：(1‑y)((1‑x)Pb(Mg |
||
| 搜索关键词： | 一种 具有 滞后 大电致 应变 铌镁酸铅基 三元 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011058341.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于5G通信基站的安防设备
- 下一篇：一种基于集成知识蒸馏的图像分类方法
